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产品简介
产品介绍
氮化硅专用烧结炉采用非接触式高温测量设计、具有真空系统过滤保护与独特的脱蜡系统及尾气处理设计。主要对硬质合金、金属陶瓷等材料进行真空、加压,使产品密致化等。主要应用于航空航天、轨道交通、半导体等新材料领域。
产品参数
装料空间(W*H*L) | 500*500*1300、500*500*1500、500*500*1800 |
设计标准 | JB4732-1995(2005年确认版) |
设计寿命 | 20年/6000炉次 |
**温度 | 2000℃ |
**压力 | 10MPa |
真空泄漏率 | ≤5×10-3 mbarl/s |
高压升压速率 | ≤5bar/min |
升温速率 (满载、<1000℃) | ≤10℃/min |
升温速率 (满载、≥1000℃) | ≤6℃/min |
温度均匀性 | ≤±5℃ |
测温方式 | WRe5-26双芯热电偶 |
加热区数 | 三区/四区 |
具备功能 | 正压脱蜡、负压脱蜡、真空烧结、压力烧结、带电降温、加压快冷、真空冷却 |
工艺气体种类 | N2 Ar |
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